日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S產(chǎn)品分析

發(fā)布日期：2025-11-18      瀏覽次數(shù)：43

日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S是一款專為精密薄膜制備場景設(shè)計的高性能實驗室級設(shè)備，憑借其穩(wěn)定的濺射工藝、緊湊的結(jié)構(gòu)設(shè)計以及廣泛的適用性，在材料科學(xué)、電子工程、光學(xué)器件等領(lǐng)域備受科研機構(gòu)與企業(yè)用戶的青睞。該設(shè)備以磁控濺射技術(shù)為核心，通過精準(zhǔn)控制離子轟擊靶材并實現(xiàn)靶材原子的沉積，為用戶提供高質(zhì)量、可重復(fù)的薄膜制備解決方案。
一、核心技術(shù)與工作原理
MSP-1S采用先進(jìn)的磁控濺射技術(shù)，其核心工作原理是在真空腔體內(nèi)，通過射頻（RF）或直流（DC）電源激發(fā)惰性氣體（通常為氬氣）形成等離子體。設(shè)備內(nèi)置的高磁場系統(tǒng)會對等離子體中的電子進(jìn)行約束，延長電子與氣體分子的碰撞路徑，從而提高等離子體的電離效率。高能離子在電場作用下加速轟擊靶材表面，使靶材原子獲得足夠能量脫離表面并沉積在襯底上，最終形成均勻、致密的薄膜。
相較于傳統(tǒng)濺射技術(shù)，MSP-1S的磁控系統(tǒng)大幅降低了電子對襯底的轟擊損傷，同時提高了濺射速率與薄膜純度，尤其適用于對襯底溫度敏感或?qū)Ρ∧べ|(zhì)量要求高的制備場景。
二、關(guān)鍵性能參數(shù)
MSP-1S的性能參數(shù)經(jīng)過精心優(yōu)化，兼顧了制備效率與薄膜質(zhì)量，核心參數(shù)如下：
1. 真空系統(tǒng)：采用復(fù)合真空抽氣機組，包括機械泵與分子泵（或擴(kuò)散泵），可快速將真空腔體內(nèi)真空度抽至5×10?? Pa以下的高真空狀態(tài)，有效減少氣體雜質(zhì)對薄膜沉積的影響，保障薄膜純度。

2. 濺射電源：支持直流（DC）和射頻（RF）兩種濺射模式，直流模式輸出功率范圍為0-300W，射頻模式輸出功率范圍為0-150W，可根據(jù)靶材類型（導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體）靈活切換，適配金、銀、銅、鋁、氧化硅、氮化硅等多種靶材。

3. 靶材與襯底：標(biāo)配1-2個靶位，靶材尺寸支持Φ50mm×3mm等常規(guī)規(guī)格，可兼容多種材質(zhì)靶材；襯底臺支持Φ76mm以下襯底，部分型號可選配襯底加熱功能（室溫-300℃可調(diào)）或旋轉(zhuǎn)功能，進(jìn)一步提升薄膜均勻性。

4. 薄膜性能：制備的薄膜均勻性誤差可控制在±5%以內(nèi)（Φ50mm襯底范圍內(nèi)），薄膜厚度可通過濺射時間、功率等參數(shù)精準(zhǔn)調(diào)控，厚度重復(fù)性誤差≤3%，滿足精密實驗與小批量生產(chǎn)對薄膜一致性的要求。

5. 控制系統(tǒng)：采用集成化觸控操作面板，可直觀設(shè)置真空度、濺射功率、濺射時間、氣體流量等關(guān)鍵參數(shù)，配備參數(shù)記憶功能，支持常用工藝配方的存儲與調(diào)用，簡化操作流程。
三、適用應(yīng)用領(lǐng)域
基于其靈活的工藝調(diào)節(jié)能力與穩(wěn)定的制備性能，MSP-1S廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域的薄膜制備需求，主要包括：
1. 材料科學(xué)研究：用于制備金屬、半導(dǎo)體、陶瓷等多種材質(zhì)的薄膜，開展薄膜結(jié)構(gòu)、力學(xué)性能、電學(xué)性能等基礎(chǔ)研究，為新型材料開發(fā)提供支撐。

2. 電子器件制備：可制備電極薄膜、絕緣層薄膜等，應(yīng)用于微型傳感器、薄膜電阻、電容器等電子元件的研發(fā)與小批量生產(chǎn)。

3. 光學(xué)領(lǐng)域：用于制備增透膜、反射膜、濾光膜等光學(xué)薄膜，適配光學(xué)鏡片、光纖器件、顯示面板等產(chǎn)品的研發(fā)需求。

4. 生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域：在醫(yī)用材料表面改性中應(yīng)用廣泛，通過沉積生物相容性薄膜（如鈦膜、羥基磷灰石膜），提升醫(yī)用植入器件的生物相容性與耐磨性。

5. 教學(xué)與實訓(xùn)：其緊湊的結(jié)構(gòu)與便捷的操作的特點，使其成為高等院校材料、電子等專業(yè)的實驗教學(xué)設(shè)備，用于演示磁控濺射原理與薄膜制備流程。
四、產(chǎn)品核心優(yōu)勢
1. 高穩(wěn)定性與重復(fù)性：采用高精度真空控制模塊與電源調(diào)節(jié)系統(tǒng)，確保工藝參數(shù)的精準(zhǔn)控制，多次制備的薄膜性能一致性優(yōu)異，減少實驗誤差。

2. 緊湊設(shè)計，節(jié)省空間：設(shè)備整體體積小巧（約W600×D800×H1200mm），無需大面積安裝空間，適配實驗室有限的布局需求，同時便于設(shè)備的移動與維護(hù)。

3. 多靶兼容，靈活適配：支持多靶位配置與多種濺射模式切換，可滿足不同材質(zhì)靶材的濺射需求，降低用戶更換實驗方案的成本。

4. 操作便捷，易于上手：集成化觸控界面與工藝配方存儲功能，簡化了復(fù)雜參數(shù)的設(shè)置流程，即使是新手用戶也能快速掌握設(shè)備操作。

5. 可靠的安全保障：配備真空異常報警、過流保護(hù)、高溫防護(hù)等多重安全裝置，當(dāng)設(shè)備出現(xiàn)真空泄漏、電源過載等異常情況時，會自動觸發(fā)保護(hù)機制，保障操作人員與設(shè)備安全。
五、總結(jié)
日本shinkuu磁控離子濺射儀MSP-1S以“高精度、高穩(wěn)定、高靈活"為核心特點，通過成熟的磁控濺射技術(shù)與人性化的設(shè)計，為科研與小批量生產(chǎn)場景提供了高效的薄膜制備解決方案。無論是基礎(chǔ)材料研究、電子器件研發(fā)，還是光學(xué)薄膜制備，MSP-1S都能憑借其優(yōu)異的性能滿足用戶的多樣化需求，是實驗室薄膜制備設(shè)備的理想選擇。